Detailléiert Erklärung vum Prozessmechanismus vun all Prozess vun TOPCON
Texturéieren
D'Texturéierungssektioun (am Ganzen 6 Zeilen) enthält Pre-Botzen - Pure Waasser wäschen virun Texturing - Texturing * 3 - Pure Waasser wäschen no Texturing - Post-Botzen Pure Waasser Wäschen - Pickelen - Pure Waasser wäschen no Pickling - Lues Lift Pre- Dehydratioun - dréchen * 5 an aner Moduler. D'Texturéierungsmethod vun dësem Projet adoptéiert all automatesch Texturéierung, de ganze Operatiounsprozess gëtt automatesch duerchgefouert, de Fërderarm gëtt op d'Fütterplaz vun der Texturmaschinn no der Pre-Botzen geschéckt, de Siliziumwafer an der automatescher zougemaacher Texturmaschinn duerch d' Roller duerch all Korrosioun, Reinigungstank, Ausrüstung automatesch Kontroll fir d'Säure, Lye a pure Waasser an all Modul z'ergänzen, d'Säure a Lye am Tank ginn duerch d'Pipeline gepompelt, a regelméisseg (en eenzegen Tankvolumen vu 720L, 48h bis eemol ersetzen) d'Ofwaasser am Tank entloossen.
1) Pre-Botzen
Pre-Botzen Zweck: Ewechzehuelen Gëftstoffer (organesch Matière, Metall Gëftstoffer, etc.) un der Uewerfläch vun der Silicon wafer ageklemmt, mat NaOH Léisung an H2O2 Léisung benotzt.
Déi gelueden Siliziumwafere ginn am Virausbehälter ofgedeckt, reng Waasser gëtt an den Tank bäigefüügt, an eng entspriechend Quantitéit NaOH-Léisung oder Reinigungsléisung gëtt no dem Verhältnis bäigefüügt (NaOH Konzentratioun gëtt erwaart 0.6% no Mëschung ze sinn , H2O2 Konzentratioun gëtt erwaart 1.5% ze sinn, automatesch Zousatz) fir Héichtemperaturreinigung (60 °C). Pre-Cleaning benotzt Ultraschallreinigung. Pure Waasser Botzen no Pre-Botzen. Pure Waasserreinigung ass all Iwwerschwemmungsreinigung, alles bei Raumtemperatur duerchgefouert.
Déi chemesch Reaktiounen, déi während dem Pre-Botzenprozess optrieden, sinn wéi follegt:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
2) Alkali Texturing
Zil: Anisotropesch Korrosioun vu Kristall op der Silizium Uewerfläch duerch Lye auszeféieren fir eng Pyramid mat enger Uewerflächegréisst vu 5um ze bilden, an d'Pyramid Suede Uewerfläch huet exzellent Liichtfaarf an Anti-Reflexiounseffekt (10%). Alkali Texturing benotzt NaOH Léisung an Texturéierungsadditive.
Füügt eng entspriechend Quantitéit NaOH-Léisung an Textur-Additive (NaOH-Léisungskonzentratioun vu ronn 0.6%, Textur-Additivkonzentratioun vun ongeféier 0.4%) an den Alkalistapeltank, wat d'Uewerflächespannung vu Siliziumwaferen reduzéiere kann, d'Befeuchtungseffekt vu Siliziumwafers verbesseren an NaOH flësseg, a förderen d'Verëffentlechung vu Waasserstoffblasen, verbesseren d'Anisotropie vu Korrosioun, maachen d'Pyramid méi eenheetlech a konsequent, a verbesseren d'Produktiounseffekt vun der Suede Uewerfläch. De chemesche Reaktiounsprozess vun der Bildung vu Sueden ass wéi follegt:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
D'Aarbechtstemperatur vum Alkali-Texturéierungstank ass 82 ° C, an d'Kontrollzäit vun der Alkali-Texturéierung ass 420s.
3) Wäsch duerno
De Siliziumwafer no der Alkali-Texturéierung geet an de Post-Botzenbehälter fir déi reschtlech organesch Matière ze entfernen an d'Sauberheet vun der Siliziumwafer Uewerfläch ze garantéieren, an doduerch d'Batteriekonversiounseffizienz zu engem gewësse Mooss verbessert. No Tauche an der gelueden Siliziumwafer, botzt se, füügt reng Waasser an den Tank, a füügt eng entspriechend Quantitéit NaOH-Léisung oder Reinigungsléisung derbäi (NaOH Konzentratioun gëtt erwaart 0.6% ze sinn, H2O2 Konzentratioun gëtt erwaart op 1.5%) laut. d'Verhältnis fir Héichtemperaturreinigung (60 °C). No Botzen gëtt proppert Waasser duerchgefouert. Pure Waasserreinigung ass all Iwwerschwemmungsreinigung, bei Raumtemperatur duerchgefouert.
4) Pickelen
No der Post-Botzen ass verdënntem Säureléisung (3.15% HCl a 7.1% HF) fir héich Rengheet erfuerderlech, d'Roll vum HCl ass de Rescht NaOH ze neutraliséieren, d'Roll vum HF ass d'Oxidschicht op der Uewerfläch ze entfernen. de Siliziumwafer fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer méi hydrophob ze maachen, e Komplex vu Silizium H2SiF6 ze bilden, duerch d'Komplexéierung mat Metallionen fir Metallionen vun der Uewerfläch vum Siliziumwafer ze trennen, sou datt de Metalliongehalt vun der Siliziumwafer ass reduzéiert, an Virbereedung fir Diffusioun an Kräizung. Pure Waasserreinigung gëtt nom Pickling duerchgefouert.
Déi chemesch Reaktiounen, déi während dem Pickelprozess optrieden, sinn wéi follegt:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
D'Aarbechtstemperatur vum Pickling Tank ass normal Temperatur, an d'Kontroll pickling Zäit ass 120s.
5) Lues ophiewen Pre-Dehydratioun
Zweck: Pre-Entwässerung vun der Uewerfläch vun kristallinem Siliziumwafer, normalerweis als leschte Schrëtt am pure Waasserreinigungsprozess.
Déi kristallin Siliziumwafer, déi vu purem Waasser gebotzt gëtt, gëtt an d'lues Pull Groove transferéiert, an de Siliziumwafer gëtt fir d'éischt a purem Waasser taucht fir komplett ënnerzegoen, an dann lues erop duerch de Manipulator an den hängende Kuerf opgehuewen, an d'Uewerflächespannung kann erofzéien de Waasserfilm op der Siliziumwafer.
Déi lues Pull Groove besteet aus engem Botzentank an engem luesen Pullmechanismus, deen hallef zou ass. Et gëtt e serrated Iwwerschwemmungshafen am Botztank, an dat proppert Waasser wäscht kontinuéierlech d'Kläranlag vum Botztank während der Aarbecht ewech, hält d'Waasserqualitéit vum Botztank propper, fir de Botzeffekt z'erreechen; Wann d'Waasser propper gehale gëtt, erschéngen keng Waasserdrëpsen op der Aarbechtsfläch ënner der Handlung vu luesen Zuch, an et gëtt kee Waasserzeechen beim Trocknen.
6) Trommeltrocknung
Déi kristallin Siliziumwafer gëtt an den Trocknungsbehälter transferéiert, an d'waarm Loft bei 90 ° C gëtt op an d'Siliziumwafer fir d'Trocknung opgeblosen, an d'Trocknung gëtt elektresch erhëtzt.
Am uewe genannte Texturéierungsprozess wäert de Pre-Botzen an Alkalesche Texturéierungsprozess héichkonzentréiert alkalescht Ofwaasser produzéieren dat Natriumhydroxid enthält (W1, W3, W5) an allgemeng alkalescht Reinigungsofwaasser (W2, W4, W6), an de Picklingprozess wäert produzéieren héichkonzentréiert sauer Ofwaasser (W7) mat Salzsäure a Fluorsäure an allgemeng sauer Reinigungsofwaasser (W8, W9). Déi uewe genannte Operatioun gëtt an enger zouener Texturmaschinn ausgeführt, an de Pickelprozess wäert sauerem Offallgas (G1) volatiliséieren, deen HF an HCl enthält, deen duerch d'Pipeline gesammelt gëtt an an de sauer Offallgas-Scrubber fir d'Behandlung geschéckt gëtt.
Bor Diffusioun
Den Zweck vum Diffusiounsprozess ass eng PN-Kräizung op der Siliziumwafer ze bilden fir d'Konversioun vu Liichtenergie an elektresch Energie ze realiséieren. PN Junction Fabrikatiounsausrüstung ass en Diffusiounsofen, de Projet benotzt gasfërmeg Bor Trichlorid fir de Siliziumwafer am Diffusiounsofen ze diffuséieren, an d'Boratome kommen an d'Silisiumwafer duerch Diffusioun, a bilden gläichzäiteg eng Schicht vu Borosilikatglas op der Uewerfläch. vum Silicium wafer. D'Haaptrei Reaktioun Equatioun ass:
4BCl3+3O2→2B2O3+6Cl2↑
2B2O3+3Si→3SiO2+4B
D'Diffusion Schmelzhäre ass eng zougemaach negativ Drock Equipement, equipéiert mat Loft Inlet an Outlet, mat elektresch Heizung, an der Ausrüstung kënnt mat engem Ueleg-gratis dréchen mechanesch Vakuum Pompel. De spezifesche Prozess ass: als éischt e grousse Flux vun N2 passéieren fir d'Loft am Diffusiounsofen Quarzröhr ewech ze verdreiwen, an den Diffusiounsofen erwiermen, waart bis d'Uewetemperatur op 1050 °C eropgeet a konstant, setzt de Wafer an de Quarz Boot, schéckt et an den Uewen Mond fir 20 Minutte virhëtzen, an dann an d'konstante Temperatur Zone drécken, éischt Sauerstoff aféieren, an dann Bor trichloride fir Diffusioun aféieren, d'allgemeng Prozess Zäit ass 180 Minutten. Wärend der Reaktioun ware béid Si an O2 exzessiv, BCl3 gouf komplett reagéiert, an C12 gouf an der Reaktioun produzéiert. Nodeems d'Reaktioun ofgeschloss ass, gëtt d'N2 Ausrüstung benotzt an d'Material gëtt automatesch entlooss.
Analyse vu Verschmotzungsproduktiounslink: D'Haaptverschmotzungslink vun dësem Prozess ass d'Diffusiounslink no der Reaktioun fir Chlor (G2) ze generéieren gemëscht mat Rescht Sauerstoff, Stickstoff, asw. Scrubber fir d'Behandlung, vun der Pipeline gesammelt an an de sauer Offallgasscrubber fir d'Behandlung geschéckt.
SEE Laser Wiederholung
Laser Doping Technologie ass eng schwéier Doping vun der Metal Gate (Elektrode) a Kontakt mat der Silicon wafer, iwwerdeems liicht Doping (niddereg Konzentratioun Doping) ausserhalb vun der Elektrode gehale gëtt. Duerch thermesch Diffusioun gëtt d'Pre-Diffusioun op der Uewerfläch vum Siliziumwafer duerchgefouert fir liicht Doping ze bilden; Zur selwechter Zäit gëtt d'Uewerfläch BSG (Borsilikatglas) als lokal Laser-Redopping-Quell benotzt, an duerch de lokalen thermesche Effekt vum Laser diffusen d'Atomer am BSG séier an d'Silisiumwafer fir d'zweete Kéier, a bilden eng lokal Redaktioun. Regioun.
De SE-Laserprozess produzéiert staubeg Auspuffgaser (G3), déi vum eegene Stëbssammler vun der Maschinn behandelt ginn an duerch den Daachauspuffsystem vum Atelier (Héicht ca. 15 Meter) entlooss ginn.
Post-Oxidatioun
Wou d'Uewerfläch vum Siliziumwafer mam Laser SE behandelt gouf, gëtt d'Oxidschicht op der Bordiffusiounsfläch (an déi glänzend Uewerfläch) duerch d'Fleckenenergie vum Laser zerstéiert. Beim Alkalipoléieren Ätzen ass eng Oxidschicht als Maskeschicht erfuerderlech fir d'Phosphordiffusiounsfläch (an déi glänzend Uewerfläch) vum Siliziumwafer ze schützen. Dofir ass Oxidreparatur vun der Uewerfläch, déi vum Laser SE gescannt ass, erfuerderlech.
An dësem Projet gouf d'SiO2-Oxidschicht duerch thermesch Sauerstoffoxidatioun virbereet. De ganze Oxidatiounsprozess gëtt an engem Oxidatiounsofen duerchgefouert, deen eng zougemaach Atmosphärdrockausrüstung ass an duerch Elektrizitéit erhëtzt gëtt. Als éischt gëtt den automatesche Blatlader benotzt fir de Siliziumwafer op de Quarzboot ze lueden, an dann setzt den automateschen Manipulator de Quarzboot op de Siliziumcarbid-Cantilever-Schlämmung vum Oxidatiounsofen, an d'Silisiumkarbidpaste schéckt de Quarzboot mat Silizium gelueden wafers an d'héich-Temperatur Quarz Uewen Rouer. Nodeems de Quarzboot an d'Schmelzröhre erakënnt, ass d'Schueldier zougemaach, den Oxidatiounsprogramm gëtt gestart, an den Oxidatiounsofen leeft automatesch. Déi Haaptchemesch Reaktiounen déi während der thermescher Oxidatioun optrieden sinn:
Si+O2 = SiO2
O2 reagéiert mat der Uewerfläch vum Siliziumwafer bei héijer Temperatur fir SiO2 ze bilden, an eng gewësse Quantitéit Stickstoff gëtt agefouert fir e konstante Drock am Schmelzröhre ze halen. Erhalen eng Period vun héich Temperatur Oxygenéierung, sou datt eng gewësse Dicke vu SiO2 dënnem Schicht op der Uewerfläch vum Siliziumwafer geformt gëtt, an d'Prozessparameter sinn: Oxidatiounstemperatur 750 °C, Stickstoffstroumrate 12L/min, Sauerstoffstroumrate 5L /min, 25min Oxidatiounszäit. Dëse Prozess produzéiert oxydéiert Ofgasen (waarm Loft) mat Sauerstoff a Stickstoff, déi duerch den Auspuffhafe vum Oxidatiounsofen entlooss ginn an dann duerch den Dachhëtztauspuffsystem vum Atelier entlooss ginn.
Ätschen
1) Gitt op BSG
De Siliziumwafer gëtt geläscht andeems se op Waasser an engem Kettenreiniger schwiewen (Réckkontakt mat Säure), den Haaptkomponent vun der Säure ass 24.5% HF, an d'Haaptchemesch Reaktiounsgleichungen enthalen:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Et gëtt dann mat Waasser gewascht a mat engem Wandmesser getrocknt ier en an de nächste Prozess eragitt. D'Ausrüstung vun der BSG Reinigungsmaschinn ass eng hallef versiegelt Ausrüstung, déi Sauertank a Pure Waasserreinigungstank integréiert, an ass mat engem induzéierten Entworfsystem ausgestatt fir e mikronegativen Drockëmfeld an der Ausrüstung ze bilden fir flüchteg Gase ze sammelen.
D'Haaptverschmotzung an dësem Link enthält sauer Auspuffgas (G4) mat HF, deen duerch Pipelines gesammelt gëtt an an sauer Auspuffgas Scrubbers fir d'Behandlung geschéckt gëtt. an héich konzentréiert sauerem Ofwaasser mat Fluorsäure (W10) an allgemeng Säurereinigungswaasser (W11).
2) Réck Ätz
Fir d'Reflexivitéit vum Réck vun der Siliziumwafer ze verbesseren, gëtt de Réck vun der Siliziumwafer mat Alkali a Poliermëttel poléiert.
D'Alkali Polier Sektioun (6 Zeilen) enthält Pre-Botzen-Waasserwäschen-Alkali-Poléieren*2-Waasserstoffperoxid-Botzen (Reservéiert)-Mikro-Texturéierung (Reservéiert)-Preng Waasser-Botzen-Post-Botzen-Péng Waasser-Botzen-Pickling*2 -reint Waasser wäschen no pickling-luesen Ophiewe, Pre-Dehydratioun-Trocknung *5 an aner Moduler. De ganzen Operatiounsprozess vun der Réck Ässung gëtt automatesch duerchgefouert, d'Benotzung vum Fërderarm fir de virgebotzten Siliziumwafer op d'Fütterplaz vun der Alkali-Werfermaschinn ze schécken, de Siliziumwafer an der automatescher zougemaacher Alkali-Waffmaschinn duerch d'Roller duerch all corrosion, Botzen Tank, Equipement automatesch Kontroll der Seier, lye a pure Waasser an all Modul ze ergänzen, d'Säure an lye am Tank ginn duerch d'Pipeline gepompelt, an d'Ofwaasser am Tank gëtt regelméisseg entlooss.
3) Pre-Botzen
No der Veraarbechtung geet de Siliziumwafer an de Reinigungstank fir déi reschtlech organesch Matière ze entfernen an d'Sauberheet vun der Siliziumwafer Uewerfläch ze garantéieren, doduerch d'Zellkonversiounseffizienz zu engem gewësse Mooss ze verbesseren. Déi gelueden Siliziumwafer gëtt a Pre-Botzen ënnerdaucht, reng Waasser gëtt an den Tank bäigefüügt, an eng entspriechend Betrag vun der NaOH-Léisung oder der Reinigungsléisung (NaOH Konzentratioun gëtt erwaart 0.39% ze sinn, H2O2 Konzentratioun gëtt erwaart op 0.61%) nom Verhältnis fir Héichtemperaturreinigung (60 °C). Pure Waasser Botzen no Pre-Botzen. Pure Waasserreinigung ass all Iwwerschwemmungsreinigung, déi bei Raumtemperatur fir 100s duerchgefouert gëtt.
4) Alkali geheien
Den Alkali-Worfbehälter ass mat purem Waasser ausgestatt, an eng entspriechend Quantitéit vun NaOH-Léisung a Polieradditive ginn derbäigesat (ongeféier 1.6% vun der NaOH-Léisung, 0.97% vun der Poliermëttelkonzentratioun), an dann ass d'Réckfläch vum Siliziumwafer poléiert bei eng Operatiounstemperatur vu 65 °C. D'Alkaliwerfen gëtt gefollegt vu pure Waasserreinigung. Déi chemesch Reaktiounen, déi während dem Alkaleschewerfprozess optrieden, sinn wéi follegt:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
D'Aarbechtstemperatur vum Alkali-Worftank ass 65 ° C, an d'Kontroll Alkali-Worfzäit ass 220s.
5) Post-Botzen an Mikro-texturing
Pure Waasser gouf an den Tank bäigefüügt, an eng adequat Betrag vun NaOH Léisung a Waasserstoffperoxid (ongeféier 0.55% NaOH Léisung, 0.25% Waasserstoffperoxid Konzentratioun) goufen no de Verhältnisser fir Raumtemperaturreinigung bäigefüügt. Nom Botzen gëtt reng Waasserreinigung duerchgefouert.
Déi chemesch Reaktiounen, déi während dem Mikrotexturéierungsprozess optrieden, sinn wéi follegt:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) Pickelen
Nom Botzen, verdënntem sauerem Léisung (0.9% HCl an 0.23% HF) ass néideg fir héich Rengheet Botzen, d'Roll vun HCl ass de Rescht NaOH ze neutraliséieren, d'Roll vun HF ass d'Oxidschicht op der Uewerfläch vum Silizium ze läschen wafer fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer méi hydrophob ze maachen, e Komplex vu Silizium H2SiF6 ze bilden, duerch d'Komplexéierung mat Metallionen fir d'Metallionen vun der Uewerfläch vum Siliziumwafer ze trennen, sou datt de Metalliongehalt vun der Siliziumwafer reduzéiert gëtt , als Virbereedung fir Diffusioun a Kräizung. Pure Waasserreinigung gëtt nom Pickling duerchgefouert.
Déi chemesch Reaktiounen, déi während dem Pickelprozess optrieden, sinn wéi follegt:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
D'Aarbechtstemperatur vum Pickling Tank ass normal Temperatur, an d'Kontroll pickling Zäit ass 100s.
7) Trommeltrocknung
Déi lues ophiewen pre-dehydréiert kristallin Siliziumwafer gëtt an den Trocknerbehälter transferéiert, an de Siliziumwafer gëtt mat waarmer Loft bei 90 ° C fir d'Trocknung op an erof geblosen, an d'Trocknung adoptéiert elektresch Heizung.
Am uewe genannte Réck Ässprozess produzéieren d'Pre-Botzen, Alkaleschwerfen a Postreinigungsprozesser héichkonzentréiert alkalescht Ofwaasser mat Natriumhydroxid (W12, W14, W16) an allgemeng alkalesch Reinigungsofwaasser (W13, W15, W17), an de Pickling Prozess wäert héichkonzentréiert sauer Ofwaasser (W18) produzéieren mat Salzsäure a Fluorsäure an allgemeng sauer Reinigungsofwaasser (W19, W20). Déi uewe genannte Operatioun gëtt an engem zouenen Alkali-Blaster duerchgefouert, an de Picklingprozess wäert sauerem Offallgas (G5) volatiliséieren, deen HCl an HF enthält, deen duerch d'Pipeline gesammelt gëtt an an de sauerem Offallgas-Scrubber fir d'Behandlung geschéckt gëtt.
POPAID Oflagerung gëtt in situ dotéiert
De POPAID Prozess ass e Schlësselprozess fir Plackbeschichtung virbereet duerch Integratioun vun Tunneloxidschicht an dotéiert kristallin Siliziumschicht.
Als éischt geet de Siliziumwafer an d'Laaschthöhle an der atmosphärescher Ëmfeld, iwwerdréit an eng 300 ° Virhëtzungskammer, an dann an d'PO-Prozess-Kavitéit, an där Zäit O2 an de Gasverdeelungsblock duerch d'Trachea transportéiert gëtt, an d'Ioniséierung aktivéiert duerch d'RF RF Energieversuergung an Ionen, an d'Ionen oxidéieren op der Uewerfläch vum Siliziumwafer fir eng Tunneloxidschicht ze bilden; Da passéiert de Siliziumwafer duerch d'Iwwergangs- a Pufferhuelraum a gëtt an de bezuelte Kavitéit transportéiert, an déi bezuelte Quell deposéiert eng gewësse Dicke vum amorphen Silizium op der Réck vum Substrat, a gläichzäiteg gëtt PH3 Gas während der Oflagerung agefouert. Prozess, a gasfërmeg Phosphoran kënnt an d'Maschinn. Duerch 10kev an 0.5-2kev Héichspannungsradiofrequenz fir de Phosphor am Phosphor an den Zoustand vu Phosphor-Ionen z'exitéieren, gëtt eng DC Héichspannung tëscht der Ionequell an dem Buedem bäigefüügt, sou datt d'Phosphor-Ionen Energie duerch den Héich- Spannung elektrescht Feld, d'Breet vum Strahl ass 420mm, an dann gëtt de Siliziumwafer ënner dem Strahl iwwerdroen, an d'Atomer vun der bezuelter Quell droen P Ionen oder reagéiere mat P Ionen wärend dem Fluch op de Substrat fir in situ Phosphor Doping z'erreechen .
D'Haaptreaktioungleichung ass: PO + PAID = POPAID
Plasma Oxidatioun (PO): SiH4+O2→SiO2
Plasma-assistéiert in situ Doping (PAID): Si (Quell) + PH3→n-Si
No der Réalisatioun vun der Reaktioun gouf et mat Stickstoff geläscht, an d'Ionimplantatioun koum mat Adsorbent, d'Behandlungseffizienz konnt 100% erreechen, d'Phosphorankonzentratioun virum Erreeche vum Adsorptiontuerm war 179.05ppm, an PH3 gouf no der Adsorptioun net festgestallt. Dëse Projet beabsichtigt dësen Auspuffgas mam DA003 Auspuffgastuerm fir Behandlung an Drain ze verbannen, an d'Firma plangt en automateschen Alarm fir Phosphoranleckage z'installéieren, mat enger Detektiounslimit vun 0.1mg / m3.
Analyse vun der Pollutioun Produktioun Linken: D'Haaptrei Pollutioun Linken vun dësem Prozess sinn Ar, PH3 an N2 während dem Prozess agefouert, déi duerch speziell Päif gesammelt an an der Seier Offall Gas scrubber fir Behandlung geschéckt.
annealéieren
De Siliziumwafer gëtt an engem Reaktiounsröhre aus Quarzglas plazéiert, an d'Reaktiounsröhre gëtt mat engem Resistenzdrahtheizofen op enger gewësser Temperatur erhëtzt (déi allgemeng benotzt Temperatur ass 900 ~ 1200 ° C, déi op ënner 600 ° reduzéiert ka ginn C ënner spezielle Bedéngungen), a wann Sauerstoff duerch d'Reaktiounsröhre passéiert, geschitt eng chemesch Reaktioun op der Uewerfläch vum Siliziumwafer:
Si (fest) + O2 (gasform) → SiO2 (fest)
D'Ëmverdeelung vun Gëftstoffer, déi vum Glühungsprozess generéiert ginn, spillt och eng Roll bei der Absorptioun vun Gëftstoffer, an d'Adsorptioun an d'Fixatioun vun Natrium- a Kaliumionen duerch PSG gi benotzt fir dës schiedlech Ionen ze entfernen.
Analyse vun der Verschmotzung Produktioun Link: D'Haaptrei Pollutioun Link vun dësem Prozess ass Rescht Sauerstoff a Stéckstoff am waarm Sauerstoff Link.
BOE Botzen
BOE (5-Linn) Trough Ausrüstung ass eng integréiert semi-zougemaach Ausrüstung, an de Siliziumwafer gëtt an de Kuerf vun der Automatisatiounsausrüstung plazéiert an an all Tankléisung an der Ausrüstung duerch de Roboterarm ëmgewandelt. Ënnert hinnen gëtt de chemesche Tank stänneg mat entspriechende Chemikalien no der Konzentratioun vun der Léisung ersat, an dat Ganzt gëtt regelméisseg ersat. Déi ersat Offallflëssegkeet gëtt an de Kläranlag entlooss a schliisslech an d'Kläranlag fir d'Behandlung. De Waasserwäschbehälter gëtt mat gereinegt Waasser gebotzt, a wann et Siliziumwaferen am Spull sinn, gëtt de gereinegt Waasser lues a lues bäigefüügt, an d'Salzofwaasser fléisst automatesch an d'Kläranlagesystem, an endlech an d'Kläranlag fir d'Behandlung. All Chemikalien si flësseg a ginn automatesch vun Membranpompelen ausgeliwwert. D'Botzsequenz ass: Pickling Tank *2, Waasserwäschen, Post-Pickling (HCL / HF / DI), Waasserwäschen, lues Liften, Trocknen *6, Tankgréisst 720L.
1) Pickelen
Et ass noutwendeg eng verdünnte Säureléisung (3.15% HCl a 7.1% HF) fir héich Rengheet ze benotzen, d'Roll vum HCl ass d'Cl-komplexéiert Metallionen ze benotzen, d'Roll vum HF ass d'Oxidschicht op der Uewerfläch ze läschen de Siliziumwafer fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer méi hydrophob ze maachen, e Komplex vu Silizium H2SiF6 ze bilden, duerch d'Komplexéierung mat Metallionen fir Metallionen vun der Uewerfläch vum Siliziumwafer ze trennen, sou datt de Metalliongehalt vun der Siliziumwafer ass reduzéiert, HF pickling 150s fir ewechzehuelen der BSG op der viischter an der PSG Layer op de Réck, Pure Waasser Botzen no pickling duerchgefouert.
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
2) Pickling nom Pickling
No der Post-Botzen ass et néideg eng verdünnte Säureléisung (14.7% HF) fir héich Rengheet ze benotzen, d'Funktioun vum HF ass d'Oxidschicht op der Uewerfläch vum Siliziumwafer ze läschen fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer méi ze maachen hydrophobesch, bilden e Komplex vu Silizium H2SiF6, an trennen d'Metallionen vun der Uewerfläch vum Siliziumwafer duerch d'Komplexatioun mat Metallionen, sou datt de Metalliongehalt vun der Siliziumwafer reduzéiert gëtt.
Déi chemesch Reaktiounen déi während dem Pickelprozess optrieden sinn wéi follegt: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
D'Aarbechtstemperatur vum Pickling Tank ass normal Temperatur, an d'Kontroll pickling Zäit ass 100s.
3) Trommeltrocknung
Déi lues ophiewen pre-dehydréiert kristallin Siliziumwafer gëtt an den Trocknerbehälter transferéiert, an de Siliziumwafer gëtt mat waarmer Loft bei 90 ° C fir d'Trocknung op an erof geblosen, an d'Trocknung adoptéiert elektresch Heizung.
Deen uewe genannte Pickelprozess wäert héichkonzentréiert sauer Ofwaasser produzéieren mat HCl, Fluorsäure (W21) an héichkonzentréiert sauer Ofwaasser mat Fluorsäure (W23), an allgemeng sauer Reinigungsofwaasser (W22, 24, 25). Déi uewe genannte Operatioun gëtt an enger zougemaacher Botzmaschinn duerchgefouert, an de Pickelprozess wäert sauerem Ofgasgas (G6) volatiliséieren, deen HCl an HF enthält, a sauerem Offallgas mat HF (G7), déi duerch Pipelines gesammelt ginn an an sauer Offallgas Scrubbers geschéckt ginn fir Behandlung.
ALD
ALD Ausrüstung gëtt benotzt fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer mat enger Al2O3 Schicht ze beschichten fir d'Passivatioun an d'Verunreinigungsabsorptiounseffekt op der Uewerfläch vum Siliziumwafer ze verbesseren. Et benotzt haaptsächlech gasfërmeg Al (CH3) 3 fir mat Waasserdamp (H2O) ze reagéieren fir Al (OH) 3 ze bilden, deen op d'Uewerfläch vu Siliziumwafere befestegt a Methangas produzéiert.
D'Haaptrei Reaktioun Equatioun ass:
Al(CH3)3+3H2O→Al(OH)3+3CH4↑
2Al(OH)3→Al2O3+3H2O↑
ALD Ausrüstung ass en zouenen negativen Drockausrüstung, equipéiert mat Loftinlet, Outlet, Inlet an Outlet, Heizung ass elektresch Heizung, d'Ausrüstung kënnt mat Uelegfräi dréchen mechanesch Vakuumpompel. Nom Start vun der Produktioun fiddert de Roboterarm fir d'éischt d'Zellen an d'ALD Ausrüstung a mécht d'Materialöffnung zou. Hëtzt op eng gewëssen Temperatur, Vakuum fir den Drock an der Ausrüstung un d'Produktiounsbedürfnisser ze treffen. Den deponéierte Film AL2O3 gëtt generéiert duerch alternéierend Impulser vum Gasphase Virgänger TMA an H2O an d'Reaktiounskammer a chemesch op der Oflagerungsmatrix adsorbéiert. Endlech, nodeems Dir de Methan-Ofgas an der Ausrüstung duerch Stickstoff ersat huet, schalt d'Ausrüstung un an automatesch d'Siliconwafer ewechzehuelen.
Den Haaptverschmotzung an dësem Link ass Ofgasmethan (G8), deen duerch Vakuumpompel erausgepompelt gëtt a mat Edelstahl Silan Verbrennungszylinder + Waassersprayapparat behandelt gëtt.
Front Beschichtung
De Grondprinzip ass d'Benotzung vun héijer Frequenz Photodischarge fir Plasma ze generéieren fir den dënnen Filmdepositiounsprozess ze beaflossen, d'Zersetzung, d'Chemie, d'Excitatioun an d'Ioniséierung vu Gasmolekülen ze förderen an d'Bildung vu reaktive Gruppen ze förderen. Zënter datt d'Präsenz vun NH3 fir de Flux an d'Diffusioun vun aktive Gruppen fördert, gëtt de Wuesstumsrate vum Film verbessert, an d'Oflagerungstemperatur gëtt staark reduzéiert.
Déi Haaptchemesch Reaktiounen, déi während der Oflagerung vum Siliziumoxidfilm duerch PECVD optrieden, sinn:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
PECVD positiv Film Ausrüstung ass eng zougemaach negativ Drock Equipement, elektresch Heizung, mat Ueleg-gratis dréchen mechanesch Vakuum Pompel. Wärend der Produktioun, fëllt éischt d'Ausrüstung mat Stickstoff, de Roboterarm fäerdeg de Siliziumwafer Luede Boot, nodeems den externen Drock an der Ausrüstung den Inlet erreecht huet, den Inlet an den Outlet Hafen opmaacht, d'Graphitboot kënnt automatesch an d'Ausrüstung an mécht den Inlet zou an Outlet. Vakuuméieren a verschidde Sécherheetsinspektiounen ausféieren, nodeems d'Sécherheet bestätegt, Silan an Ammoniak ginn agefouert fir d'Silisiumoxidbeschichtung an der Ausrüstung ze kompletéieren. Nodeems d'Beschichtung fäerdeg ass, gëtt de Reschtgas an der spezieller Gaspipeline an Ausrüstung duerch Stickstoff entlooss, an dann d'Inlet an d'Outlet opgemaach an d'Material gëtt entlooss. No Ofkillung geet et an d'Veraarbechtung a geet an de spéidere Prozess.
Analyse vun der Verschmotzung Produktioun Linken: D'Haaptrei Verschmotzung Form vun der Produktioun Prozess ass Beschichtung Offall Gas (Silan, exzessiv Lach Gas, exzessiv Ammoniak, Waasserstoff, Stéckstoff, etc.) (G9), déi éischt an STAINLESS Stol Silan Verbrennungsmotor Zylinder duerch de induzéiert Entworf Loftsystem, an entléisst et dann no der Behandlung duerch de Spraytuerm.
Beschichtung op der Réck
Déi Haaptchemesch Reaktiounen, déi während der Oflagerung vum Siliziumoxidfilm duerch PECVD optrieden, sinn:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
PECVD Ënnerstëtzung Film Equipement ass zougemaach negativ Drock Equipement, elektresch Heizung, mat Ueleg-gratis dréchen mechanesch Vakuum Pompel. Wärend der Produktioun, fëllt éischt d'Ausrüstung mat Stickstoff, de Roboterarm fäerdeg de Siliziumwafer Luede Boot, nodeems den externen Drock an der Ausrüstung den Inlet erreecht huet, den Inlet an den Outlet Hafen opmaacht, d'Graphitboot kënnt automatesch an d'Ausrüstung an mécht den Inlet zou an Outlet. Vakuuméieren a verschidde Sécherheetsinspektiounen ausféieren, nodeems d'Sécherheet bestätegt, Silan an Ammoniak ginn agefouert fir d'Silisiumoxidbeschichtung an der Ausrüstung ze kompletéieren. Nodeems d'Beschichtung fäerdeg ass, gëtt de Reschtgas an der spezieller Gaspipeline an Ausrüstung duerch Stickstoff entlooss, an dann d'Inlet an d'Outlet opgemaach an d'Material gëtt entlooss. No Ofkillung geet et an d'Veraarbechtung a geet an de spéidere Prozess.
Analyse vun der Verschmotzung Produktioun Linken: D'Haaptrei Verschmotzung Form vun der Produktioun Prozess ass Beschichtung Offall Gas (Silan, exzessiv Lach Gas, exzessiv Ammoniak, Waasserstoff, Stéckstoff, etc.) (G9), déi éischt an STAINLESS Stol Silan Verbrennungsmotor Zylinder duerch de induzéiert Entworf Loftsystem, an entléisst et dann no der Behandlung duerch de Spraytuerm.
Metalliséierung
1) Dréckerei
Wärend dem Drockprozess ass d'Schläim iwwer dem Bildschierm, an de Schrack gëtt mat engem gewëssen Drock op der Bildschirmplack gedréckt, sou datt d'Bildschirmverformung mat der Uewerfläch vum Siliziumwafer kontaktéiert. De Schlamm gëtt extrudéiert fir d'Uewerfläch vum Siliziumwafer ze kontaktéieren; D'Uewerflächenadsorptiounskraaft vum Siliziumwafer ass grouss, an de Schlamm gëtt aus dem Mesh erausgerappt. Zu dëser Zäit leeft de Schrack, an déi virdru deforméiert Meshplack ass ënner der Handlung vu gudder Erhuelungskraaft, sou datt d'Schlämmer glat op d'Uewerfläch vum Siliziumwafer fällt. Ënnert hinnen ass Sëlwerpaste eng Paste-Drockpaste aus ultra-feinem an héichreiniger Sëlwer- an Aluminiumpulver als Haaptmetall, mat enger gewësser Quantitéit organesche Bindemëttel a Harz als Hëllefsmëttel.
Éischt vun all, zréck Elektroden Dréckerei an drëschenen: präziist Positioun der gedréckt zréck Elektroden Paste (dorënner Laser Punching Positioun) (Sëlwer Paste) op de Réck vun der Batterie, a séier dréchen bei niddregen Temperatur ze garantéieren, datt d'gedréckt zréck Elektroden net beschiedegt ass beim Drock am nächste Schrëtt.
Zweetens, der hënneschter Säit fein Gitter Linn Dréckerei, drëschenen: op der Récksäit vun der Batterie präziist Positioun der Dréckerei fein Gitter Linn Paste (Sëlwer Paste), a séier dréchen bei niddregen Temperatur, den Haaptziel ass Kontakt mat der Silicon Matrixentgasung, iwwerdroen aktuell, an nei-dope, reduzéieren Carrier recombination, Erhéijung Schwong.
Da gitt duerch de Flipper, an d'Batterieblatt dréit sech vun der Réck op d'Front erop. Positiv Elektroden Drock an Trocknung: präzis positionéiert déi gedréckte positiv Elektroden Paste (Sëlwer Paste) op der viischter Säit vun der Batterie, a trocken séier bei niddreger Temperatur, d'Haaptfunktioun ass de Stroum gesammelt vun der dënnter Gitterlinn op eng extern ze féieren an ze vermëttelen Circuit oder Erënnerung.
Endlech, der viischter Säit feine Gitter Linn Dréckerei, drëschenen: op der viischter vun der Batterie präziist Positioun der Paste (Sëlwer Paste) gedréckt virun Elektrode, no Dréckerei, wait an der sintering Schmelzhäre staark sintering, Form eng gutt ohmic Kontakt, den Haaptgrond Funktioun ass Stroum ze sammelen, d'Liichtabsorptiounskapazitéit vun der Batterieblatt erhéijen, d'Konversiounseffizienz verbesseren.
D'Trocknungstemperatur vun der Schlamm am uewe genannte Trocknungsprozess ass ongeféier 200 °C. Dëse Prozess produzéiert organesch flüchteg Gas (G10), an den Haaptverschmotzungsfaktor ass Alkoholester zwielef, gemooss vu VOCs. Den organeschen Offallgas, deen duerch den Drockprozess generéiert gëtt, gëtt duerch d'Gassammelkapp gesammelt, adsorbéiert a behandelt vun enger 2-Stuf Tandem Aktivkuelestoff Adsorptiounskëscht, a schliisslech duerch den Auspuffzylinder entlooss. Den Auspuffkanal muss regelméisseg gebotzt a gereinegt ginn fir seng Absorptiounseffizienz ze halen.
2) Sinteren
Sintering ass d'Haaptfein Gitterpaste, déi op der Siliziumwafer gedréckt ass, an eng Batterieblatt bei héijer Temperatur ze sinteren, sou datt d'Elektrode an der Uewerfläch agebonne gëtt fir e feste mechanesche Kontakt an eng gutt elektresch Verbindung ze bilden, a schliisslech d'Elektrode an de Silizium wafer selwer Form ohmesche Kontakt.
De gedréckte Siliziumwafer gëtt mat engem Sinterofen (elektresch Heizung) gesintert, de Sinterofen ass a verschidden Temperaturzonen opgedeelt, de Siliziumwafer formt iewescht an ënnescht Elektroden wärend dem Sinterprozess, an déi maximal Temperatur vum Sintering ass 700 ~ 800 ° C . An dësem Prozess gëtt den organesche Léisungsmëttel Alkoholester an der Schlamm komplett verflüchtegt fir organesch Offallgas (G11) ze bilden, deen duerch VOCs gemooss gëtt, an dann duerch den Héichtemperaturverbrennungstuermapparat mat der Ausrüstung verbrannt gëtt an duerno vun engem 2-Etapp Serie Aktivkuelestoff Adsorptiounskëscht mat dem Drockoffallgas, an duerch den Auspuffzylinder no der Adsorptioun entlooss.
3) Elektresch Sprëtz
Nodeems d'Zelle gesintert ass, gëtt d'Method vun der direkter elektrescher Injektioun vun Träger (Reverse Injektioun vum Gläichstroum) benotzt fir de geluedenen Zoustand vum Waasserstoff am Siliziumkierper z'änneren, sou datt de zerfallende Bor-Sauerstoffkomplex gutt passivéiert gëtt, transforméiert et an eng stabil reecology, an endlech den Zweck vun Anti-photodecay erreechen.
Test d'Verpakung
Nodeems d'Solarzelle fabrizéiert ass, ginn d'elektresch Leeschtungsparameter vun der Solarzelle (wéi d'Messung vun hirer IV-Kurve an d'Liicht-Schlësselrate, etc.) mat engem Testinstrument getest. Nodeems den Test ofgeschloss ass, gëtt d'Batterie automatesch a verschidde Gears opgedeelt no bestëmmte Standarden. Wann d'Zuel vun den Zellen an engem bestëmmten Ausrüstung déi spezifizéiert Zuel erreecht, erënnert d'Ausrüstung de Bedreiwer drun ze huelen an ze packen. Den Apparat huet och Schuttdetektioun, déi Schutt refuséiert wann et fonnt gëtt, anstatt et als komplett Batterie ze testen, e Prozess deen eng Offallzell (S2) produzéiert.
【Verzichterklärung】 Den Zweck vun dësem Artikel ze publizéieren ass méi Industrieinformatioun ze vermëttelen, nëmme fir Referenz, an heescht net datt dës Plattform verantwortlech ass fir seng Meenungen an Inhalt. Verstouss, kontaktéiert w.e.g. Xiaobian fir ze läschen, Zesummenaarbecht an all Froen, loosst w.e.g. e Message am Hannergrond.