Illustratioun vum Prinzip vu Solarpanneauen
Illustratioun vum Prinzip vu Solarpanneauen
Solarenergie ass déi bescht Energiequell fir d'Mënschheet, a seng onendlech an erneierbar Charakteristiken bestëmmen datt et déi bëllegst a prakteschst Energiequell fir d'Mënschheet gëtt. Solarpanneauen si propper Energie ouni Ëmweltverschmotzung. Dayang Optoelectronics huet sech an de leschte Joeren séier entwéckelt, ass dat dynamescht Fuerschungsfeld, an ass och ee vun den héichprofiléierte Projeten.
D'Methode fir Solarpanneauen ze maachen ass haaptsächlech baséiert op Hallefleitmaterialien, a säi Wierksprinzip ass fir photoelektresch Materialien ze benotzen fir d'Liichtenergie no der photoelektrescher Konversiounsreaktioun ze absorbéieren, no de verschiddene benotzte Materialien, kënnen opgedeelt ginn an: Siliziumbaséiert Solarzellen an dënn -film Solarzellen, haut haaptsächlech fir Iech iwwer Siliziumbaséiert Solarpanneauen ze schwätzen.
Als éischt, Silizium Solarpanneauen
Silicon Solarzelle funktionnéiert Prinzip a Strukturdiagramm De Prinzip vun der Solarzellenergie Generatioun ass haaptsächlech de photoelektreschen Effekt vun Halbleiteren, an d'Haaptstruktur vun Halbleiteren ass wéi follegt:
Eng positiv Ladung representéiert e Siliziumatom, an eng negativ Ladung representéiert véier Elektronen, déi e Siliziumatom ëmkreesen. Wann de Siliziumkristall mat anere Gëftstoffer gemëscht gëtt, wéi Bor, Phosphor, asw., Wann Bor bäigefüügt gëtt, gëtt et e Lach am Siliziumkristall, a seng Bildung kann op déi folgend Figur bezéien:
Eng positiv Ladung representéiert e Siliziumatom, an eng negativ Ladung representéiert véier Elektronen, déi e Siliziumatom ëmkreesen. Déi Giel weist op dat agebaute Boratom un, well et nëmmen 3 Elektronen ronderëm de Boratom sinn, sou datt et dat bloe Lach produzéiert an der Figur, wat ganz onbestänneg gëtt well et keng Elektrone gëtt, an et ass einfach Elektronen ze absorbéieren an ze neutraliséieren , déi e P (positiven) Typ Hallefleiter bilden. Ähnlech, wann Phosphoratome agebaut sinn, well Phosphoratome fënnef Elektronen hunn, gëtt een Elektron ganz aktiv, a bildt N (negativ) Typ Hallefleit. Déi Giel si Phosphorkäre, an déi rout sinn d'iwwerschësseg Elektronen. Wéi an der Figur ënnendrënner gewisen.
P-Typ Halbleiter enthalen méi Lächer, während N-Typ Hallefleit méi Elektronen enthalen, sou datt wann P-Typ an N-Typ Hallefleitunge kombinéiert sinn, en elektresche Potenzialdifferenz op der Kontaktfläch geformt gëtt, dat ass de PN Kräizung.
Wann P-Typ an N-Typ Hallefleeder kombinéiert sinn, gëtt eng speziell dënn Schicht an der Grenzregioun vun deenen zwee Hallefleit geformt), an d'P-Typ Säit vun der Interface ass negativ gelueden an d'N-Typ Säit ass positiv gelueden. Dëst ass wéinst der Tatsaach datt P-Typ Hallefleit méi Lächer hunn, an N-Typ Hallefleit vill fräi Elektronen hunn, an et gëtt e Konzentratiounsdifferenz. Elektronen an der N-Regioun diffusen an d'P-Regioun, an d'Lächer an der P-Regioun diffusen an d'N-Regioun, a bilden en "internt elektrescht Feld" geriicht vun N op P, sou datt d'Diffusioun verhënnert gëtt. Nodeems de Gläichgewiicht erreecht gëtt, gëtt sou eng speziell dënn Schicht geformt fir e potenziellen Ënnerscheed ze bilden, dat ass de PN Kräizung.
Wann de Wafer u Liicht ausgesat ass, réckelen d'Lächer vum N-Typ Hallefleit am PN-Kräizung an d'P-Typ-Regioun, an d'Elektronen an der P-Typ-Regioun an d'N-Typ-Regioun, wat zu engem Stroum vun der N-Typ Regioun zu der P-Typ Regioun. Da gëtt e potenziellen Ënnerscheed am PN-Kräizung geformt, deen d'Energieversuergung bildt.