TOPCon ëmfaassend Analyse
I. Iwwersiicht
TOPCON Solarzellen sinn Solarzellen déi eng ultra-dënn tunneléiert Oxidschicht als Passivatiounsschichtstruktur benotzen.
TOPCON Batterie Substrat ass haaptsächlech N-Typ Silizium Substrat, an eng Schicht vun ultra-dënnem Siliziumoxid-Tunneloxidschicht (1-1.5nm) gëtt duerch naass Prozess op der Récksäit vun der Batterie virbereet an eng dotéiert Polysilicon dënn Schicht mat enger Dicke vun ongeféier 20nm gëtt deposéiert, déi zesummen eng Passivatiounskontaktstruktur bilden, an dann annealéiert a rekristalliséiert fir de Passivatiounseffekt ze verbesseren.
D'Réckpassivatiounskontaktstruktur vun TOPCON bitt eng gutt Uewerflächepassivatioun fir de Réck vum Siliziumwafer, an déi ultra-dënn Oxidschicht kann de Polyon (Elektron) an d'Polysilikonschicht tunnelen wärend d'Oligoon (Lach) Rekombinatioun blockéiert, an dann de Polytron. gëtt vum Metall an der lateraler Iwwerdroung vun der Polysilisiumschicht gesammelt, doduerch de Metallkontakt Kompositstroum staark reduzéiert an d'Open Circuit Spannung a Kuerzschlussstroum vun der Batterie verbessert.
Zweetens, technesch Charakteristiken
1. Effizienz
D'theoretesch Limiteffizienz vum TOPCON ass 28.7%, wat méi héich ass wéi 24.5% vum PERC an 29.2% vum HJT, wat no der Effizienzlimit vun 29.43% fir kristallin Silizium Photovoltaikzellen ass.
Am Moment sinn déi héchste Rekorder vum TOPCON Laboratoire a Masseproduktiounseffizienz 26.7% fir Zhonglai an 25.7% fir Tongwei, respektiv.
Notiz: Dës Figur enthält net d'Peakstatistike vun 29.2% baséiert op der héchster theoretescher Limit vun HJT, déi am Mee dëst Joer erreecht gouf
Et kann gesot ginn datt d'selektiv Iwwerdroung vun Träger eng onverhënnerbar Wiel fir déi héich Effizienz vu Solarzellen ass, an d'Kontaktregioun Komposit Stroumdicht (Joc) a Kontaktresistenz (ρc) Indikatoren kënnen d'Open Circuit Spannung a Füllfaktor vun der evaluéieren. Batterie a bestëmmen d'Konversioun Effizienz.
De Grond fir d'Verbesserung vun der TOPCON Effizienz ass datt den N-Typ Silizium-baséiert Substrat ugeholl gëtt, an d'Passivéierungsstruktur op der Récksäit kann déi puer Gebuertsraten e méi laang Liewenszyklus maachen, d'Rekombinatioun vun Träger reduzéieren a frontal Okklusioun reduzéieren mat SMBB.
Um Enn vum 2022 hunn dem JinkoSolar seng monokristallin bifacial N-Typ TOPCON Zellen eng Konversiounseffizienz vun 26.4% erreecht. Am Abrëll dëst Joer huet Jolywood TOPCON dësen Effizienzwäert op 26.7% erhéicht, an d'Effizienzverbesserung vun TOPCON Batterien geet weider.
2. Leeschtung
TOPCON Batterien hunn héich Bilateralitéit, niddreg Temperaturerhéijungskoeffizient an Dämpfungsquote. Am Moment ass den TOPCON bifacial Taux ongeféier 85%, den Temperaturerhéijungskoeffizient ass sou niddereg wéi -0.3% / ° C, an d'Kraaftproduktioun pro Watt vun der Batterie gëtt verbessert. Zur selwechter Zäit ass den Zerfallsquote vun TOPCON am éischte Joer 1%, dat ass 50% vum Zerfallsquote vu PERC am éischte Joer, an den Zerfallquote vun TOPCON ass ongeféier 0.4% pro Joer duerno.
3. Onbedenklechkeet
Am Verglach mam PERC füügt TOPCON Bordiffusioun, Tunneloxid, Polysilisium Doping Oflagerung a Botzen, eliminéiert de Laser Grooving Prozess. Déi meescht TOPCON Produktiounslinne kënnen op Basis vu PERC Produktiounslinnen opgebaut ginn, wat d'Ausrüstungsinvestitiounskäschte staark reduzéiert an erwaart gëtt e bessere Choix Wee fir déi zukünfteg Transformatioun vun der existéierender PERC Produktiounskapazitéit ze sinn.
4. Equipement Transformatioun
TOPCon Zellen kënnen op Basis vu PERC Produktiounslinnen aktualiséiert ginn, mat enger initialer Investitioun vu ronn 1.5-170 Milliounen Yuan pro GW, an Upgradekäschte vun 40-50 Milliounen Yuan pro GW baséiert op PERC Produktiounslinnen.
Am Verglach mat P-Typ Akkuen, Ännerungen TOPCon Phosphor Diffusioun zu Bor Diffusioun, Erhéijunge der Virbereedung vun tunneling Layer an poly Layer, an eliminéiert der Laser grooving Schrëtt.
Am initialen Ausrüstungsinvestitioun war d'Botzen an d'Texturéierungsausrüstung 8 Millioune Yuan, wat ongeféier 5% ausmécht; D'Käschte vun Bor Diffusioun Schmelzhäre ass ongeféier 20 Milliounen, ausmaachen fir ronn 12%; D'Käschte vun Ätzen Equipement war 12 Milliounen, fir ronn 7%; Récksäit Tunnel Oxidatioun an polysilicon Doping Zesummenhang Ausrüstung iwwer 45 Milliounen (LPCVD) an 35 Milliounen (PECVD); D'Käschte fir doppelseiteg Anti-Reflexiounsfilmausrüstung sinn ongeféier 32 Milliounen, déi 20% ausmaachen; D'Käschte vun Écran Dréckerei Ausrüstung ass ongeféier 35 Milliounen, ausmaachen fir 22%. Zousätzlech kann d'PERC-Produktiounskapazitéit no 2020 no 40 opgebaut a moderniséiert ginn ënner der Bedingung vu reservéierten Eenheeten, an d'Aktualiséierungskäschte sinn ongeféier 50-XNUMX Millioune Yuan / GW, haaptsächlech d'Käschte vun der Oxidatiounstunnel a Phosphor-Dopingausrüstung.
Drëttens, de Kär Prozess
Wéi uewen erwähnt, enthält de Virbereedungsprozess vun der TOPCon Batterie Botzen an Texturéierung, Front Bor Diffusioun, BSG Ewechhuele a Réck Ässung, Oxidschicht Passivéierungskontaktpräparatioun, Front Aluminiumoxidablagerung, Front- a Réck Siliciumnitrid Oflagerung, Écran Dréckerei, Sinteren an Testsortéierung, iwwer 12 Schrëtt, vun deem passivation Layer dënn Film Oflagerung, dat ass, CVD, ass de Kär Prozess Link.
Den TOPCon Prozess kann a véier Typen opgedeelt ginn: LPCVD, PECVD, PEALD + PECVD, PCD POLY Si, no de verschiddene Passivéierungsmethoden.
LPCVD ass niddereg-Drock Damp Oflagerung, de Prinzip ass, datt een oder e puer gasform Substanzen thermesch bei engem nidderegen Drock aktivéiert ginn thermesch Zersetzung Reaktioun ze féieren, an dann op der Uewerfläch vun der Substrat deposéiert der néideg Film ze bilden;
PECVD ass Plasma-verstäerkte Dampdepositioun, déi Mikrowellen oder Radiofrequenzen benotzt fir e Plasma lokal fir Gase mat dënnem Filmatome ze bilden an de erfuerderlechen dënnen Film op de Substrat deposéiert;
PEALD + PECVD ass Plasma-verstäerkt Atomschichtdepositioun, déi d'Virdeeler vun ALD a Plasma-assistéiert Oflagerung kombinéiert;
PVD ass eng physesch Dampdepositioun, an där e Material op de placéierten Werkstéck mat enger kierperlecher Method (Vakuum Sputterbeschichtung) ënner Vakuumbedéngungen deposéiert gëtt.
Am Moment gehéiert POPAID zu PVD Oflagerung Silica a Polysilicon Film Technologie, no deem dëse Prozess de sérieux Problem vun Mass Produktioun an plating vun traditionell routes léist.
LPCVD, PECVD, PEALD + PECVD, PVD polySi véier Weeër hunn hir eege Virdeeler an Nodeeler, déi aktuell Industrie mat LP als Mainstream:
1) LPCVD: Et huet grouss Virdeeler an Effizienz, Rendement a Kapazitéit, déi aktuell GW-Niveau Mass Produktioun Effizienz ass 24.9%, Labo Effizienz ass 25.7%, d'Ausbezuelen ass 97%, de Film Formatioun Taux ass ongeféier 5-8nm / min, Single Plug 4300pcs, duebel Plug 8000pcs, mä et gi Problemer wéi kuerz Quarz Liewen, grouss consumables, lues Oflagerung Taux an sérieux winding plating, an et gëtt nach Plaz fir Verbesserung;
2) PECVD: den Oflagerungsquote ass sou héich wéi 16nm / min, d'Wicklungsbeschichtung ass liicht bannent 2mm, einfach ze dopen op der Plaz, d'Ausrüstungsinputskäschte si méi niddereg wéi d'LP Streck, an et gëtt erwaart op enger grousser Skala no der Verifizéierung vun zukünftege Rendement- an Effizienzdaten. Baséierend op der PE-Streck, huet déi dräi-an-eent PE-Poly-Ausrüstung, déi vum Jiejia Weichuang gestart gouf, vill Opmierksamkeet vum Maart ugezunn;
3) Aner Weeër: PEALD + PECVD Method, d'Benotzung vu PEALD fir Siliziumoxid ze deposéieren kann den ursprénglechen Inhomogenitéitsproblem léisen; D'PVD-Methode huet séier Filmbildungsgeschwindegkeet, keng Wicklungsbeschichtung, wat fir d'Ausdünnung a Multi-funktionell Upgrade bäidréit, awer den Ausrüstungspräis ass héich an d'Uniformitéit vu Quadratresistenz ass schlecht.
Véiert, d'Käschte reduzéieren an d'Effizienz erhéijen
(1) Käschtenreduktioun
Am Moment ass d'Käschteintegratioun vun TOPCon Batterien ongeféier 0.04 Yuan / W méi héich wéi dee vu PERC, an den Outsourcing Link ass ongeféier 0.01 Yuan / W méi héich.
1. Ausdünnung vu Siliziumwaferen
N-Typ Siliziumwafere ginn duerch Doping Phosphor Elementer gemaach, well Phosphoratome a Silizium schlecht kompatibel sinn, sou datt d'Rengheet an d'Produktiounsprozesskontroll vu Silizium an Hilfsmaterial méi héich Ufuerderunge sinn, d'Käschte si méi héich, an et gëtt e gewësse Präis am Verglach zu P-Typ Silicium wafers. Wéi och ëmmer, mat der grousser Produktioun vun N-Typ Siliziumwaferen an technologesche Fortschrëtter, gëtt de Prozess vun der iwwerlagert Ausdünnung beschleunegt, an d'Premium vun N-Typ Siliziumwafere gëtt erwaart lues a lues ze schrumpelen.
Geméiss dem TCL Central Wafer Zitat den 5/11/23, gëtt et eng 1.8% Premium iwwer P-Typ 182-Gréisst N-Typ Siliziumwafers, déi wesentlech méi niddereg war wéi d'8.1% Premium am Juni 2022.
Laut CPIA ass d'Duerchschnëttsdicke vun TOPCon / PERC Siliziumwaferen am Joer 2022 140μm respektiv 155μm. Am Moment ass d'Dicke vum Mainstream TOPCon Silicon Wafer vun der Industrie 130μm, wat 20μm manner ass wéi den Mainstream PERC 150μm.
Laut dem leschten N / P Polysilisiumpräis vun 80.5 / 72.4 Yuan / kg am Juni 14, weisen d'Resultater datt d'Käschte vum TOPCon Silizium ongeféier 0.14 Yuan / W sinn, wat 1 Punkt / W manner wéi PERC ass. Zousätzlech, kaaft Silicon wafers kascht ongeféier 60-70% méi um wafer Enn wéi integréiert Hiersteller, wéi an der Tabell hei ënnendrënner.
2. Net-Silicium Käschten
Am Moment sinn d'Net-Silisiumkäschte vun TOPCon Batterien ongeféier 4 Punkten / W méi héich wéi déi vu PERC, an d'Gesamtkäschte sinn ongeféier 3-4 Punkten / W méi héich.
1) Op der Ausrüstungssäit ass TOPCon ongeféier 50 Millioune Yuan méi héich wéi d'Investitiounskäschte pro GW vu PERC, an d'Ofschätzungskäschte pro Watt eropgoen ëm 1 Cent / W;
2) Wat d'Sëlwerpaste ugeet, ass den TOPCon Sëlwerverbrauch (positiv Sëlwer + Récksëlwer) ongeféier 12-13mg/W (105mg/Stéck), wat 2 Punkten/W méi héich ass wéi de PERC Sëlwerverbrauch (positiv Sëlwer + Récksëlwer) 9 -10mg/W Käschten;
3) Wat aner Käschten ugeet, erhéicht de TOPCon-Routeprozess, wat d'Käschte vun elektreschen Energie-Hëllefsmaterialien an Aarbecht ëm 1 Punkt / W verglach mam PERC erhéicht;
4) Wat d'Ausbezuelung ugeet, ass d'Ausbezuelung vum TOPCon 2pct méi niddereg wéi dee vum PERC, wat zu enger Käschte vun ongeféier 0.15 Punkten / W méi héich ass wéi déi vum P-Typ.
3. Empfindlechkeet Analyse
Am Moment geet d'Polysilisiumproduktiounskapazitéit weider an d'Präisser erhéijen an ze reduzéieren, a Polysilisiumpräisser si séier vun engem Héich vun 300,000 / Ton op 80,000 / Ton gefall, an d'Käschtereduktioun verursaacht duerch Ausdünnung ass verréngert. Laut Soochow Securities wäert de Präis vum Silizium vun 300 Yuan / kg op 60 Yuan / kg erofgoen, an de Käschtedifferenz tëscht 150 mm an 130 mm Siliziumwafere wäert vun 0.05 Yuan / W op 0.01 Yuan / W erofgoen.
4. Silver opzedeelen
Ënnert den Net-Siliciumkäschte sinn d'Sëlwerpastekäschte fir den héchsten Undeel, wat ongeféier 16% vun de Gesamtbatterieskäschte ausmécht. TOPCON an PERC sinn déi selwecht, souwuel benotzen héich-Temperatur Sëlwer Paste, an am Moment haaptsächlech reduzéieren de Konsum vun positiv Sëlwer duerch Multi-Main Gate Technologie an d'Breet vun der fein Raster reduzéieren.
Unzehuelen, datt de Präis vun Sëlwer Paste ausser Steier 5,575 Yuan / kg ass, an der duebel-dofir Sëlwer Paste Konsum vun 105mg entsprécht engem Käschte pro Watt vun 0.07 Yuan, mat der zukünfteg Entwécklung vun Technologie, Multi-Main Gate + Héich-Präzisioun String Schweess gëtt erwaart de Konsum vun Sëlwer Paste ze reduzéieren op 90mg / Stéck, entspriechend Käschte vun 0.06 Yuan / W an enger Ofsenkung vun 0.01 Yuan pro Watt.
(2) Gewënn
Geméiss China PV Netzdaten, zënter Mäerz dëst Joer, hunn de Bruttogewënn an de Nettogewënn pro Watt vu Photovoltaikzellen immens geschwankt (182 PERC als Beispill huelen), an de Brutto Gewënnmarge ass vun 12% am Ufank Mäerz op 7.4 erofgaang. %, an dann am Prozess vu schnelle Réckgang vun de Polysilisiumpräisser huet de Bruttogewënn vun Zellen séier eropgaang an en héije Niveau vun 25.9% Enn Mee beréiert, wéi an der Tabell hei ënnendrënner.
Et kann gesi ginn datt de Präis vum Upstream Polysilicium e fundamentalen Impakt op Downstream Zellen huet. Et sollt bemierkt datt dës Tabell nëmmen de Gewënn vun Zellen entsprécht dem Wafer Präispaar während der selwechter Period. Bedenkt den allgemengen Inventarzyklus vun Downstream Zellfirmen vun 1-2 Méint, gëtt d'Gewënnschwankung vun der entspriechender Zell am Fall vun der First-In, First-Out Method vu Käschtestatistiken verspéit.
Weiderhin d'Schwankunge vu Wafer- an Zellpräisser während der selwechter Period ze vergläichen, kann et festgestallt ginn datt et eng Lag an der Gréisst vun den Ännerungen an Zellpräisser am Verglach mat Siliziumwaferen ass. Zënter dem Juni ukomm ass, huet de Réckgang vun den Zellpräisser verstäerkt, wat beweist datt d'Transmissioun vu Polysilisiumpräisser ugefaang huet ze erschéngen, wat zu engem schnelle Réckgang vun der Zell Bruttomarge Mëtt Juni resultéiert.
(3) Effizienz verbesseren
Am Moment ass d'Effizienz vun N-Typ Zellen vu verschiddenen Hiersteller séier verbessert, an d'Mainstream Effizienz ass méi wéi 25%, an et gëtt erwaart datt d'Effizienz weider verbessert gëtt andeems d'SE Plattform, d'duebelsäiteg Passivéierung an d'Tandem aféieren. Zell Technologie Duerchbréch an Zukunft.
1. Reduzéieren elektresch Verloschter
De Kär vun der Effizienzverbesserung vun TOPCon läit an der Reduktioun vun elektresche Verloschter, dorënner SE, bifacial POLY, global Passivatioun, an Tandemzellen.
TOPCon Effizienzverbesserung erfuerdert reduzéiert elektresch Verloschter. Hiersteller sinn amgaang d'SE Plattform aféieren, an e puer Institutiounen erwaarden datt dëst d'Effizienz vun 0.2% -0.4% verbessert; D'Aféierung vun doppelseiteg PYL an 24 Joer gëtt erwaart d'Massproduktiounseffizienz op méi wéi 26% ze erhéijen; D'Aféierung vun der globaler Passivéierungstechnologie an 25 Joer gëtt erwaart d'Effizienz op 27% ze verbesseren, an dann ass d'Haaptlinn vun der Effizienzverbesserung d'Entwécklung vun der Tandemzelltechnologie.
Am Moment ass d'Effizienz vun N-Typ Zellen vu verschiddene Hiersteller séier verbessert, an d'Massproduktiounseffizienz vun den Mainstream Hiersteller ass tëscht 25% an 25.5%, an et gëtt erwaart datt d'Effizienz weider verbessert gëtt andeems d'SE Plattform Aféierung, duebelsäiteg Passivatioun an Duerchbroch an der Tandemzelltechnologie an der Zukunft.
2. Selektiv emitter
D'SE Technologie an TOPCon ass ähnlech dem Prinzip vun SE am PERC, an héich / niddereg Konzentratioun Doping bannent an ausserhalb der Elektrode kann d'Liewen vun Silicon wafer puer Gebuert verbesseren an Zell Effizienz verbesseren. SE (Selective Emitter Technology) bezitt sech op d'Bildung vun enger P++ Schicht duerch héichkonzentréiert Doping op a bei der Kontaktplaz vun der Metallkathode a Siliziumwafer, an eng niddereg Konzentratioun Doping fir eng P+ Schicht an der Géigend ausserhalb vun der Elektrode ze bilden .
Dës Technologie garantéiert net nëmmen eng geréng Kontaktresistenz tëscht dem Siliziumwafer an der Elektrode, awer reduzéiert och d'Uewerflächrekombinatiounsquote vun der Siliziumwafer fir d'niddereg Gebuertsdauer vum Siliziumwafer ze verbesseren, an doduerch d'Konversiounseffizienz vun der Zell ze verbesseren. De Bor Dopingprozess ass méi komplex an d'Laserkraaft ass méi héich; Et kann zwou Zorte vu passivation Layer Verbrenne duerch de Prozess ginn, an der Laser Muecht muss präziist kontrolléiert ginn.
D'Laser Doping am TOPCon ass an zwee Weeër opgedeelt: primär Bor Expansioun a Secondaire Bor Expansioun, an de Mainstream vun Mass Produktioun wielt primär Laser direkt Doping. Eng Bor Expansioun ass ähnlech wéi de Bor Expansiounsprozess Standard am PERC Produktiounsprozess, de Prozess ass relativ einfach, nëmmen ee Laser Doping, Bor Expansioun a Botzen ginn ënner dësem Wee duerchgefouert, de Prozess ass méi einfach an d'Ausrüstungsinvestitioun ass niddereg, awer déi technesch Schwieregkeet ass méi héich.
3. duebel-Säit POLY
Am Moment gëtt d'Passivéierungsstruktur haaptsächlech op der Réckfläch vun der Batterie benotzt, an d'duebelsäiteg Passivéierung / Global Passivéierung kann d'Effizienz weider verbesseren. Am Moment sinn TOPCon Batterien nëmmen op der hënneschter Uewerfläch passivéiert, an déi viischt Uewerfläch adoptéiert nach ëmmer déi traditionell Batteriestruktur. Fir d'Trägerrekombinatiounsquote weider ze reduzéieren an d'Kontaktresistenz op der Uewerfläch vun der Batterie ze reduzéieren, kann P-Poly ënner der viischter Elektrode ausgefouert ginn, an d'duebelsäiteg / global Passivéierungsstruktur kann benotzt ginn fir d'Fronteffizienz weider ze verbesseren .
D'Silicium wafer Matrixentgasung vun der duebel-dotéiert passivation Kontakt Zell ass mat enger polysilicon Layer op der viischter Säit gëtt, an der hënneschter Säit vun der Matrixentgasung ass eng P-dotéiert poly passivation Layer. Géigesaz duebel-dofir passivation, déi nëmmen P-Poly ënner den Elektroden ass, global passivation Technologie erwaart weider Effizienz vun P-Poly déi ganz virun Batterie verbesseren.
5. Industrie Offer an Nofro
(1) Installatioun Ufuerderunge
Laut Daten vun der China Photovoltaic Industry Association, am Joer 2022, wäert d'total installéiert Kapazitéit vun der globaler Photovoltaik ongeféier 230GW sinn. No de geschätzte Donnéeën vun GF Securities wäert déi global installéiert Kapazitéit ongeféier 370GW am Joer 2023 sinn.
(2) Produktiounskapazitéit
Wat d'Produktiounskapazitéit ugeet, zënter 2019, hunn féierend Hiersteller wéi Tongwei, LONGi, Jinko, AiXu, asw. Zelltechnologie, wat zu der Wuesstumsquote vun der Gewaltzellproduktiounskapazitéit vill méi héich ass wéi de Wuesstumsquote vun der Produktioun, an d'Kapazitéitnutzungsquote ass graduell ofgeholl.
No de Statistike vu Soochow Securities no den Ukënnegunge vu verschiddenen opgezielten Firmen an net-ëffentleche Kanal Neiegkeeten, bis Enn 2022 ass d'TOPcon Produktiounskapazitéit vu China ongeféier 90GW, laut den aktuellen geplangte Kapazitéitstatistiken, gëtt erwaart datt bis 2023H2 , TOPCON Produktiounskapazitéit wäert ongeféier 460GW sinn, an 2024H2 Produktiounskapazitéit wäert ongeféier 750GW sinn. Et ass net schwéier ze gesinn datt TOPCon d'Produktioun wesentlech am Joer 2023 ausbaut, d'Industrialiséierung wäert séier virukommen, an d'éischt Linn Hiersteller féieren de Layout vun der Produktiounskapazitéit.
Wat d'Produktioun ugeet, laut CPIA Daten, ass d'Zellproduktioun vu China séier vun 11GW am Joer 2011 op 318GW am Joer 2022 gewuess, an TOPCON Zellproduktioun am Joer 2022 wäert ongeféier 17GW sinn.
Zënter 2022H2 ass d'TOPCON Produktiounskapazitéit vu China 92GW, mat enger Ausgang vu ronn 17GW an enger Pénétratiounsquote vu ronn 5%; De Maart erwaart datt bis Enn 2024 d'TOPCON Produktiounskapazitéit vu China 754GW wäert sinn, mat engem Output vu ronn 482GW an enger Pénétratiounsquote vu ronn 66%.
(3) Kompetitiv Landschaft
Vun 2023 un wäert all Hiersteller d'Produktioun vun TOPCon wesentlech ausbauen, laut dem TOPCON Photovoltaikzelleproduktiounskapazitéitsplang, deen d'Firma ugekënnegt huet, kann d'Firma ongeféier an dräi Echelonen opgedeelt ginn:
Déi éischt Echelon Produktiounskapazitéit ass geplangt fir méi wéi 60GW ze sinn, déi Jinko, JA Solar, TRW, LONGi, Junda, an Tongwei sinn, vun deenen JA Power's 57GW, Trina Solar's 40GW, JinkoSolar 56GW an aner TOPCon Mass Produktiounslinnen all geplangt sinn 2023 a Betrib geholl ginn;
Déi zweet Echelon Produktiounskapazitéit ass geplangt fir ongeféier 10-25GW ze sinn, wat e klore Spalt mam éischten Echelon huet, an d'Haaptparticipanten sinn kanadesch Solar, Zhonglai, Yiyi, EGing, etc.
Déi geplangte Produktiounskapazitéit vum drëtten Echelon ass am Fong net méi wéi 10GW, an et gi vill Participanten, an dësen Deel vun der Produktiounskapazitéit ass ongeféier 232GW no der Statistik vu Soochow Securities.
Aus der Perspektiv vum Produktiouns Fortschrëtt ass den Expansiouns Fortschrëtt vun TOPCon nodeems d'éischt Tier Hiersteller an 2023 erakommen allgemeng wesentlech virun den Second-Tier Hiersteller, an den CR6 vun der TOPCON Industrie ass ongeféier 57.68%.
Geméiss de Statistike vum Gesamtoutput vun Zellen, CPIA Daten, ass den Ausgangsproportioun vun den Top fënnef Photovoltaikzell Hiersteller vu China weider vun 29.5% am Joer 2018 op 56.3% am Joer 2022 eropgaang, an d'Industriekonzentratioun ass ëmmer méi niddereg wéi déi vun anere Linken an der Photovoltaikindustrie Kette.
Am Beräich vu voller Zellen ass d'Konkurrenzmuster vu féierende Hiersteller stabil, Tongwei an AiXu sinn an den Top zwee, an de Jietai ersetzt de Luan an den Top fënnef vun der Lëscht.
Wat d'Zelleffizienz ugeet, ass déi duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun der TOPCon Masseproduktioun op dëser Etapp méi wéi 25%, an d'Modulkraaft entwéckelt sech op héich Kraaft, an déi féierend Entreprisen hunn eng dynamesch Lead an der Technologie.
Et ass derwäert ze bemierken datt am Mee dëst Joer Jolywood's POPAID Technologie den Effizienzwäert vun TOPCON op eng nei Héicht vun 26.7% gedréckt huet.
1. JinkoSolar
Vum Enn vum 22 huet Jinko 35GW TOPCon Zellproduktiounskapazitéit, dat ass 8GW an der Hefei Phase I, 8GW an der Haining Phase I, 8GW an der Hefei Phase II an 11GW an der Haining Phase II. Et gëtt erwaart datt bis Enn vum 23/24 d'Produktiounskapazitéit erwaart gëtt 56 / 85GW z'erreechen, vun deenen Haining 6.5GW an Chuxiong 6.5GW erwaart ginn an 23Q2 respektiv 23Q3 a Betrib ze setzen, an déi éischt an zweet. Phasen vum Shanxi sengem 56GW integréierte Projet ginn am 24Q1-Q2 a Betrib geholl. D'Firma erwaart datt N-Typ Sendungen méi wéi 60% am Joer 2023 ausmaachen.
2. Junda deelt
Dem Junda säin aktuellen N-Typ TOPCON huet ongeféier 40.5GW a Betrib geholl an huet eng Kapazitéit vun 13GW am Bau.
3. Tongwei deelt
Am Sënn vun der TOPCon Produktiounskapazitéit huet Tongwei eng 9.5GW Topcon Batterie Produktiounskapazitéit um Enn vum 22, an den 16GW TOPCon Batterieprojet an der Pengshan Phase I gouf um Enn vum 22 lancéiert, an et gëtt erwaart fir den 23. éischte Kéier am XNUMX. Juli.
4. JA Technologie
Zënter dem 23. Juni huet JA Solar 7.3GW vun der TOPCon Batterieproduktiounskapazitéit a Betrib geholl, vun deenen 1.3GW vun Ningjin voll Produktioun erreecht huet, an d'Zellmassproduktiounseffizienz huet 25.3%+ erreecht. 20GW zu Yangzhou an 10GW zu Qujing ginn am 23Q3 a Betrib geholl. Am Mee 23 huet d'Firma den N-Typ neie Modul DeepBlue 4.0Pro lancéiert baséiert op 182mm * 199mm Gréisst rechteckeg Siliziumwafer, kombinéiert mat High-Density Packaging Technologie, déi maximal Kraaft vun der 72 Versioun kann 630W erreechen, an d'Moduleffizienz iwwerschreift 22.5%, wat zu der Muecht vun der viregter Generatioun vun 182 Serie 78 Versioun Moduler vun der selwechter Gréisst entsprécht, mä d'Aarbechtsspannung ass 7.6% manner, wat d'Käschte vum System BOS an de Risiko vun Hot Spots vum Modul reduzéiert.
JA erwaart d'Produktiounskapazitéit vu Wafer / Zell / Modul fir 70/70 / 80GW bis Enn 23 z'erreechen, an 80-90GW bis Enn vum Joer wann d'Zellproduktiounsplang glat ass.
5. Trina Solar
Um Enn vum 22 huet d'TRW Zell / Modul Produktiounskapazitéit 50 / 65GW erreecht, vun deenen d'TOPCon Produktiounskapazitéit 8GW zu Suqian ass, déi erwaart gëtt voll Produktioun Mëtt 2023 z'erreechen, mat engem Ausbezuelungsquote vu méi wéi 97%. Wat déi nei Produktiounskapazitéit ugeet, erwaart TRW d'Produktioun vun 30GW vun neien TOPCon Zellen am Joer 2023 unzefänken, an d'Produktiounskapazitéit vun TOPCon Zellen gëtt erwaart bis Enn 40 op 23GW eropzegoen.
6. LONGi Green Energie
Longji huet d'Fuerschung an d'Entwécklung vun der TOPCon Technologie am Joer 2019 ugefaang, eng 500MW Pilotlinn am Joer 2021 gebaut, a gëtt erwaart d'Produktioun vun 30GW zu Ordos am August 2023 unzefänken, mat enger Produktiounskapazitéit vu méi wéi 20GW bis Enn vum Joer, an gëtt erwaart fir voll Produktioun bis 2024Q1 z'erreechen.
(4) Premium Verglach
Geméiss de Statistike vum Verkeefer, am neie Modul Ausschreiwungsprojet, sinn TOPCon Produkter favoriséiert fir hiren héije Kraaftgeneratiounsgewënn, wärend e Premium genéisst. Den Undeel vun TOPCon Komponenten ass vun 33% am Februar op 50% am Abrëll eropgaang, an den Undeel vun TOPCon Ausschreiwungen ass weider eropgaang.
TOPCon huet 33% vun der 6GW Modul Ausschreiwung vum CNNC ausgemaach, an d'Zitat war ongeféier 8 Cent / W Premium op PERC. D'TOPCon Moduler hunn 50% vun den Offerprojete vu Huaneng a Datang ausgemaach, an d'Zitater waren 6.5 Punkten / W an 8.2 Punkten / W méi héich wéi d'PERC Moduler, respektiv.
No der leschter Batteriequote vum PVinfoLink de 14. Juni ass de Präis vun der 182 duebelsäiteger TOPCon Batterie 0.87 Yuan / W, an de Präis vun PERC Batterien vun der selwechter Gréisst ass 0.78 Yuan / W, mat enger Premium vu ronn 9 Punkten / W ; Den Duerchschnëttspräis vun zweesäitegen TOPCon Moduler (182mm) ass 1.6 Yuan / W, den Duerchschnëttspräis vum P-Typ ass 1.48 Yuan / W, an den N-Typ Modul ass ongeféier 0.12 Yuan / W Premium zum PERC Modul, wat beweist. datt de Stroumgeneratiounsgewënn vun N-Typ Moduler vum Terminal unerkannt gouf.
D'Gesamtkäschte vun TOPCon Komponenten sinn 0.03-0.04 Yuan / W méi héich wéi déi vum PERC, an de Gesamt TOPCon huet méi wéi 8 Punkte vun iwwerschësseg Akommes erreecht, wat d'Wirtschaft beliicht.
(5) Investitiounsintensitéit
Laut Feedback vu ville Parteien sinn d'Käschte vun Ausrüstung fir déi nei Produktiounslinn vun TOPcon ongeféier 1.5-170 Milliounen Yuan / GW. Ënnert den initialen Investitiounskäschte vun neie Produktiounslinnen, Ausrüstungskäschte an Installatiounskäschte hunn den héchsten Undeel ausgemaach, gefollegt vu Bauingenieurskäschte, mat enger duerchschnëttlecher Gesamtbaukäschte vu ronn 360 Milliounen Yuan / GW.
Huelt dem Jolywood säin 16GW Héicheffizienz monokristallin Zell Smart Fabréck Projet (Phas I) als Beispill, Ausrüstungskaaf an Installatioun huet den héchsten Undeel vun Ausrüstungskaaf an Installatioun an de Baukäschte vu senger TOPCON Photovoltaik Zell Produktiounslinn, ongeféier 88%, gefollegt. duerch Baukäschten, déi ongeféier 8% ausmaachen; De Wäert vun der Produktiounsausrüstung ass deen héchsten an der TOPcon Produktiounslinn, déi ongeféier 71% ausmécht, vun deenen d'POPAID Ausrüstung, deem säi Kärprozess benotzt gëtt fir Polysilisiumdënnfilmer ze deposéieren, ongeféier 24% vun den Aktien Jolywood ausmécht.
Laut Daten verëffentlecht vum Jinko, TRW, GCL an anerer, ass déi duerchschnëttlech Bauzäit vun der TOPCON Produktiounslinn 15.7 Méint, déi duerchschnëttlech Payback Period ass 5.61 Joer, an déi duerchschnëttlech initial Investitiounskäschte pro GW ass ongeféier 360 Millioune Yuan.
6. Industrie Synergie
(1) Silicon Materialien
N-Typ Produkter hunn héich Ufuerderunge fir Polysilisiumqualitéit, an am Moment erreechen N-Typ Polysilicon Ufuerderunge elektronesch Grad II oder méi héich, wat zwee Grad méi héich ass wéi P-Typ Materialien, an de Spalt an techneschen Indikatoren ass 2-10 Mol. Am Moment sinn déi Gewalt Tongwei / Daqo / Xinte N-Typ Material Produktiounskapazitéit Reserven genuch, an an der Zukunft, mat der wuessender Nofro fir N-Typ, ginn d'N-Typ Produktiounskapazitéitsreserven vun Mainstream Hiersteller graduell verëffentlecht, an Hausversuergungsverhältnis gëtt erwaart deementspriechend eropzegoen.
Laut den Donnéeën vun der Siliziumindustrie ass dat aktuellt N-Typ Material am Verglach mam P-Typ, d'Premium vun 8,000 Yuan / Tonne, an der Zukunft, mat der Beschleunigung vum Wafer-Dënnungsprozess, den N-Typ Siliziumwafer D'Konkurrenz ass hefteg, d'Nofro fir N-Typ Material erhéicht, d'Penetratiounsquote gëtt graduell eropgaang, an d'Prime gëtt erwaart weider auszebauen.
(2) Silicon wafers
TOPCON benotzt N-Typ Siliziumwafers. N-Typ Siliziumwafere gi mat Borelementer am Kristallzuchprozess dotéiert, a Phosphorione ginn am Zellproduktiounsprozess diffuséiert.
Zënter 23230531 hunn N-Typ Siliziumwaferen eng Prime vu ronn 7% iwwer P-Typ. Well de Prozess vun N-Typ Zellen méi komplex ass wéi dee vum P-Typ, sinn hir Käschte och méi héich.
Laut Donnéeën vun der China Photovoltaic Industry Association, wäert de Maartundeel vu P-Typ monokristalline Wafer Sendungen 87.5% am Joer 2022 erreechen, an nëmmen 10% vun N-Typ monokristalline Waferen, a mir erwaarden datt d'Produktioun vun N-Typ monokristalline Waferen wäert 25 2025% ausmaachen, wat séier wäert eropgoen.
Duerch d'Käschtereduktioun an d'Effizienzverbesserung gedriwwen, förderen d'Mainstream Hiersteller dauernd den Ausdünnungsprozess vu Siliziumwafers, an hir jeweileg Zellgréissten sinn och anescht. Am Moment adoptéieren führend Firmen wéi JA Solar, Jinko an Tongwei rechteckeg Siliziumwafer Technologie, a Siliziumwafer Hiersteller wéi JA Solar / Jinko / Tongwei / TRW adoptéieren all grouss Gréissten iwwer 182mm, iwwerdeckt 182mm * 182mm, 182mm * 192mm, 182mm * 199 mm, etc.
(3) Sëlwer Paste
Déi viischt Sëlwerpaste muss méi Funktiounen an Utility erreechen, an d'technesch Ufuerderunge fir de Produit si méi héich wéi déi op der Réck Sëlwerpaste, an hir Haaptfunktioun ass d'Fotogeneréiert Träger ze sammelen an ofzeleeën. Fir d'photoelektresch Konversiounseffizienz vun der Zell ze garantéieren, muss d'Front Sëlwerpaste d'Basisfuerderunge vu gudder Drockleistung an héijen Aspekt Verhältnis hunn, an et muss e gudden ohmesche Kontakt mat der Siliziumwafer bilden an d'Kontaktresistenz reduzéieren.
D'Sëlwer Paste op der Réck vun TOPCON ass net vill anescht wéi d'Sëlwer Paste op der viischter Säit vum PERC, awer wéinst der Bedierfnes fir frontal Bor Expansioun Emissiounsstadium am TOPCON, ass Sëlwer Aluminiumpaste op der viischter Säit erfuerderlech, sou datt de Wäert a Konsum vun TOPCON Sëlwer Paste si méi héich wéi déi vun PERC.
Wéi virdru scho gesot, bis elo ass den duerchschnëttleche Sëlwerverbrauch vun 182-Gréisst PERC Batterien an der Industrie ongeféier 60mg / Stéck, an de Sëlwerverbrauch op der Réck ass ongeféier 20-30mg / Stéck, well de festen Inhalt vum Réck ass 60%, wat ëmgewandelt gëtt zu ongeféier 15mg / Stéck positiv Sëlwer, sou datt den Total Sëlwerverbrauch 75mg / Stéck ass;
Fir 182-Gréisst TOPCon-Batterien ass de Sëlwerverbrauch vum Industrieleader op 47mg / Stéck op der viischter an 57mg / Stéck op der Réck reduzéiert, am Ganzen ongeféier 104-105mg / Stéck;
HJT Batterien sinn nëmmen 166 an 210 Gréissten, wat iwwersetzt op 182 Gréissten an de Sëlwerverbrauch ass ongeféier 160-170mg / Stéck. Am Verglach mam positiven Sëlwerverbrauch vu P-Typ Batterien ass de Konsum vu Sëlwerpaste (positiv Sëlwer + Récksëlwer) vun TOPCon Batterien ongeféier 1.5 Mol am Duerchschnëtt.
Am Sënn vun Maart Nofro fir Sëlwer Paste, erwaarden e puer Institutiounen, datt um Enn vun 23, China d'PERC Sëlwer Paste Konsum am Fong bleift op 11 Tonnen / GW, an dëser Skala falen ze 9.5 Tonnen / GW an 24-25 Joer; An 21-25 Joer gëtt de Konsum vun TOPCon Sëlwer Paste vun 15 Tonnen / GW op 10 Tonnen / GW reduzéiert, an de Präis vun Sëlwer Paste wäert e liichte Downward Trend behalen, an et gëtt erwaart datt de Gesamtmaartraum vu Sëlwer Paste an 23 Joer wäert 25.1 Milliarden Yuan sinn, an de Maartraum wäert bis 43.4 op 2025 Milliarden Yuan eropgoen.
An de leschte Joren, mat der kontinuéierlech Verbesserung vun der technesch Inhalt, Produit Leeschtung a Stabilitéit vun Gewalt positiv Sëlwer Paste, ass de Grad vun Lokalisatioun weider erop, an der Lokalisatioun Taux huet 75% an 22 Joer erreecht. Ënnert Festland Entreprisen, Juhe Co., Ltd., Dike Co., Ltd., a Jingyin New Material (Suzhou Goodtech) besetzen den Haaptmaartundeel, mat engem Maartundeel vun 41% / 21% 13% am Joer 2022, all déi hunn enk Zesummenaarbecht mat downstream Kapp Batterie Firmen geformt, an hunn am Moment Reserven an TOPCon Sëlwer Paste Technologie.
(4) Kär Equipement
TOPCON Produktioun Ausrüstung ëmfaasst haaptsächlech véier Linken: Botzen an Texturing, Bor Diffusioun, Polysilisium dënn Film Oflagerung an Écran Dréckerei.
1. D'Texturéierung wäschen
De Botzprozess ass relativ einfach, d'Ausrüstungskomplexitéit ass niddereg, an d'Hausreinigungsausrüstung kann d'Bedierfnesser vum Gebrauch treffen. Mat der rapid Expansioun vun TOPCON Produktioun Muecht, de Maart Nofro fir Single-Maschinn grouss Produktioun Muecht a voll automatiséiert Equipement wäert weiderhin Erhéijung; Am Moment ass d'Prozessstabilitéit vum Eenkristall-texturéierende Feld reift, an d'Single-Maschinn Produktiounskapazitéit ass allgemeng méi wéi 8000 Stéck / Stonn.
D'Haaptrei Betriber vun Botzen Equipement sinn North Huachuang, Jiejia Weichuang, Shanghai Puchuan, etc .; D'Haapthersteller vun Texturéierungsausrüstung sinn Jiejia Weichuang, North Huachuang a Suzhou Jujing.
2. Bor Diffusioun
Déi niddereg Drockdiffusiounsausrüstung huet d'Virdeeler fir d'Uniformitéit an d'Performance vu Quadratresistenz ze verbesseren, ineffizient Stécker no Kräizungen ze reduzéieren, Phosphorquellen a Stroumverbrauch ze reduzéieren, héich Quadratresistenz z'erreechen (140-180Ω / cm2) an d'Effizienz ze verbesseren. Dofir, am Moment, ass d'Diffusioun Equipement haaptsächlech niddereg-Drock Diffusioun, an déi nei Produktioun Linn ass haaptsächlech mat niddereg-Drock Diffusioun + niddereg-Drock Oxidatioun Equipement equipéiert.
Am Moment, huet d'Single-Batch Diffusioun Kapazitéit vun Gewalt Diffusioun Schmelzhäre vun 150 Stécker zu 2,000 Stécker an 2022. Am Moment, sinn d'Haaptrei Betriber vun Diffusioun Schmelzhäre Laplace, Jiejia Weichuang, Fengsheng Equipement, Hunan Red Sonn, etc. der selwechter Zäit, opgezielt Firmen Dier Laser an Han Laser hunn och de Layout vun Zesummenhang Equipement ugefaangen.
3. Polysilicon dënn Film Oflagerung
Am Verglach mam PERC ass déi gréisste Feature vum TOPCON datt eng tunneléiert Oxidschicht + dotéiert Polysilisiumschicht op der Réck virbereet ass. Am Moment sinn et zwee Haapt technesch routes an dësem Link: LP an PE.
D'Haaptrei deelhuelende Betriber vun LP Equipement och Laplace, NAURA an Pule New Energy; PE Ausrüstung gëtt haaptsächlech vun Jiejia Weichuang, North Huachuang, Jinchen Co., Ltd. an Hunan Red Sun geliwwert.
4. Écran Dréckerei
Am Moment, adoptéiert déi nei Produktioun Linn haaptsächlech héich-Präzisioun Ausriichtung, grouss Silicon wafer Dréckerei Equipement, fréi Écran Dréckerei Equipement ass haaptsächlech importéiert Ausrüstung, am Moment, Gewalt Equipement haaptsächlech den neie Produktioun Linn Maart besetzt an ass an Indien, Tierkei an exportéiert ginn. aner opkomende Photovoltaikmäert. Déi Haaptausrüstungshersteller an dësem Beräich enthalen: Maiwei Co., Ltd., Jiejia Weichuang Co., Ltd., Jinchen Co., Ltd., etc.
VII. Fazit
Am Moment ass d'Feld vun Photovoltaikzellen e komplett kompetitiv Muster, ënner dem Hintergrund vum N-Typ ersetzt P-Typ, TOPCON huet momentan gewësse Virdeeler an der Pénétratioun, Effizienz, industrieller Reife, Ënnerstëtzung vun Zesummenaarbecht, a P-Typ Transformatioun. TOPcon Kapp Entreprisen besetzen den Haaptmaartundeel, CR5 Maartundeel ass am Fong ongeféier 50%, den Effekt vun der Industrieskala ass bedeitend.
Zur selwechter Zäit hunn integréiert Entreprisen e gréissere Käschtevirdeel wéi Outsourcingfirmen an de Käschte vun Batteriesilisiumwafers. Op der anerer Säit, wéinst dem héijen Undeel vu Siliziumwafer Käschten zu Batterieskäschte, hunn integréiert Entreprisen e gréissere Virdeel op der Käschtesäit, andeems 20230531 Daten als Beispill huelen, d'Käschte vun integréierte Siliziumwafers sinn 0.26 Yuan / W, wat ass ongeféier 32% manner wéi d'Käschte vun 0.38 Yuan / W vun kaaft Silicon wafers.
D'Superpositioun vum Industriekopfeffekt an d'Integratioun fir d'Käschte vu Siliziumwaferen ze reduzéieren huet zu neie pure Zellhersteller gefouert, déi verschidden Drock wéi Prozess, Effizienz, Käschten a Kanäl konfrontéiert hunn.
Op der Zellversuergungssäit kann déi aktuell Produktiounskapazitéit vum Maart Maartofdeckung fir nei Installatiounen erreechen, an déi héich initial Investitiounskäschte a laang Ausbezuelungsperiod mussen och virsiichteg sinn fir nei Entrants.
Am Moment, an der Photovoltaikindustrie, gëtt et nach ëmmer e gewësse Betrag vun Haushalts-Alternativraum am Feld vun Hëllefsmaterialien, wéi z. oppassen op de Suivi.
Quell: Éischt Photovoltaic New Energy
Editor: Wang Rui Bewäertung: Hao Yuzhu